เทคโนโลยีชิปประมวลผลสำหรับสมาร์ทโฟนระดับไฮเอนด์กำลังจะก้าวกระโดดอีกครั้ง! ข่าวล่าสุดเผยว่า Qualcomm กำลังพัฒนาชิป Snapdragon 8 Elite 2 ซึ่งคาดว่าจะเปิดตัวในเดือนตุลาคมนี้ โดยมาพร้อมกับประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ
ชิปตัวใหม่นี้จะเป็นหัวใจสำคัญของสมาร์ทโฟนแฟลกชิปแอนดรอยด์รุ่นท็อปในปีหน้า รวมถึง Samsung Galaxy S26 series ที่จะวางจำหน่ายในสหรัฐอเมริกา จีน และแคนาดา
ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นอย่างก้าวกระโดด
จากข้อมูลที่รั่วไหลออกมาจาก Digital Chat Station บน Weibo ระบุว่า Snapdragon 8 Elite 2 จะใช้แกนประมวลผล Oryon รุ่นที่ 2 ของ Qualcomm เอง ซึ่งคาดว่าจะมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้นถึง 25% เมื่อเทียบกับรุ่นแรก
นอกจากนี้ ประสิทธิภาพของ GPU ก็คาดว่าจะเพิ่มขึ้นถึง 30% ส่วนหนึ่งมาจากการเพิ่มแคชอิสระของ GPU เป็น 16MB จากเดิม 12MB
รองรับ RAM รุ่นใหม่ล่าสุด
อีกหนึ่งจุดเด่นของ Snapdragon 8 Elite 2 คือการรองรับ RAM มาตรฐาน LPDDR6 ซึ่งเป็นรุ่นใหม่ล่าสุดที่มาแทนที่ LPDDR5 และ LPDDR5X โดย LPDDR6 สามารถเพิ่มอัตราการถ่ายโอนข้อมูลได้สูงถึง 10.667 – 14.4 Gbps หรืออาจสูงกว่านั้น เทียบกับ LPDDR5X ที่ทำได้สูงสุด 8.533 Gbps
ผลิตด้วยกระบวนการ 3nm รุ่นล่าสุด
Snapdragon 8 Elite 2 จะผลิตโดย TSMC ด้วยกระบวนการ 3nm รุ่นที่ 3 (N3P) แม้ว่า TSMC จะเริ่มผลิตชิป 2nm ในปีนี้ แต่ Qualcomm เลือกที่จะใช้ 3nm เพื่อควบคุมต้นทุนไม่ให้สูงเกินไป
ผลทดสอบเบื้องต้นน่าประทับใจ
ผลการทดสอบ Geekbench ล่าสุดแสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นอย่างชัดเจน:
- คะแนน Single-core: 4,000 (เพิ่มขึ้น 25% จาก 3,200 ของรุ่นก่อน)
- คะแนน Multi-core: 13,000 (เพิ่มขึ้น 26.2% จาก 10,300 ของรุ่นก่อน)
การจัดวางแกนประมวลผลใหม่
Snapdragon 8 Elite 2 จะมาพร้อมกับการจัดวางแกนประมวลผลแบบใหม่:
- 2 แกน Prime สำหรับงานที่ต้องการประสิทธิภาพสูงสุด
- 6 แกน Performance สำหรับงานทั่วไป
ต่างจากรุ่นก่อนที่มี 1 แกน Prime, 2 แกน Performance, 2 แกน Efficiency และ 3 แกน Low-power Efficiency
โดยสรุปแล้ว Snapdragon 8 Elite 2 มีแนวโน้มที่จะเพิ่มประสิทธิภาพขึ้น 25-30% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อน ซึ่งจะส่งผลให้สมาร์ทโฟนแอนดรอยด์ระดับไฮเอนด์ในปีหน้ามีพลังมากขึ้นอย่างเห็นได้ชัด เราจะได้เห็นว่าสมาร์ทโฟนรุ่นใดบ้างที่จะนำชิปตัวนี้ไปใช้ และจะสร้างความแตกต่างในตลาดได้มากน้อยเพียงใด
